[부품] 쇼트키 다이오드 (Schottky barrier diode)

* 이미지 출처 : 한국기술교육대학교 온라인평생교육원 전자회로 기본 I

 쇼트키 다이오드는 고속 스위칭에 사용되는 다이오드다. 쇼트키 다이오드는 PN 접합 다이오드와 다르게 금속과 실리콘 반도체의 접합으로 되어 있다. 이로 인해 작은 접합 전위가 금속 양극과 N형 실리콘 사이에서 발생을 한다. 

 이런 구조로 인해 접합 전위가 약 0.15V에서 0.3V 정도이다. 또한 역방향 누설 전류가 일반 PN 다이오드에 비해 많다. 

 쇼트키 다이오드는 낮은 턴온 전압과 낮은 접합 커패시턴스, 빠른 복구 시간의 특징을 가진다.

 낮은 턴온 전압은 실리콘 쇼트키의 경우 0.3V 정도로 일반적인 PN에 비해 절반 정도로 이 특성으로 인해 순방향 턴 온시 저항 손실이 감소해 전력 감소가 작고 발열도 작다.

  낮은 접합 커패시턴스는 구조상 접합면이 작아 커패시턴스가 낮다. 이로 인해 RF 회로 같은 곳에서는 커패시턴스 값의 영향으로 임피던스가 움직이게 되는 회로에 다이오드를 사용해야 할 경우 이를 최소화 할 수 있다.

 빠른 복구 시간 또한 PN 접합이 아닌 금속 접합으로 전자를 교환하거나 재교환 하지 않기 때문에 스위칭 속도가 빠르다. 이로서 고속으로 스위칭해야 하는 회로나 RF와 같이 높은 주파수범위에서의 다이오드 사용에 적합하다. 

 이래 저래 말을 했지만 쇼트키 또한 결국 다이오드와 똑같은 동작을 하지만 빠른 속도를 가지는 특징이 주 이므로 고속 동작을 하는 회로에 사용이 된다. 그러나 구조상 누설이 심하고 약하기 때문에 소신호 또는 저전압에서 사용이 가능하다.